国家/地区 韩国（110）
IPC部 H（93） C（60） B（36）
G（14） D（3）
IPC大类 H01（90） C01（49） C23（27）
B82（21） B32（19） B01（13）
B05（10） G03（5） H05（5）
B44（4） C09（4） G11（4）
C08（3） C30（3） G01（3）
IPC小类 H01L（83） C01B（49） C23C（26）
B82Y（20） B32B（19） H01B（15）
B01J（13） B05D（10） G03F（5）
H01M（5） B44C（4） B82B（3）
C30B（3） H01J（3） H05K（3）
IPC H01L029/16（38） H01L021/02（33） C01B031/02（23）
C01B031/04（19） C23C016/26（18） H01L021/768（17）
B82Y030/00（16） H01L029/06（16） B82Y040/00（15）
C01B032/186（14） H01B001/04（14） H01L023/532（14）
H01L029/66（13） H01L029/786（12） H01L021/285（11）
发明人 SHIN H J（110）
公开年 2022（23） 2021（14） 2020（13） 2009（9） 2012（9） 2011（7） 2015（7） 2013（6） 2023（6） 2016（5） 2014（4） 2017（4） 2018（3）
申请年 2021（27）  2020（13）  2011（11）  2015（10）  2008（8）  2012（6）  2019（6）  2022（6）  2010（5）  2014（4）  2018（4）  2013（3）  2016（3）  2017（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（103） UNIV SUNGKYU.（17） SHIN H（8） UNIV SUNGKYU.（6）
CHOI J（4） LEE J（4） UNIST ULSAN .（4） UNIV SEOUL N.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） PARK S（3） YOON S（3） BYUN K（2）
CHOI W（2） HARVARD COLL.（2） INZI DISPLAY.（2） LEE C（2）
LEE M（2） SNU R DB FO.（2） SONG H（2） UNIV YONSEI .（2）

Polymer layer derived composition useful in a display device, comprises e.g. polyborondimethylsiloxane, benzoyl peroxide, fumed silica, glass fibers, glass powder, carbon nanotubes, graphene oxide, carbonyl iron, calcium carbonate, zinc oxide, silicone elastomer and polydimethylsiloxane.

HWANG S, LEE J, WU X, KIM J, KIM Y, SHIN H, YU W, YU W R, SHIN H J, SONG K Y, KIM J S, OH H J

Manufacture of wiring used in electronic device, involves growing graphene layer on substrate using plasma of hydrocarbon at specific temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition, and doping graphene layer with metal.

LEE C, LEE M, SHIN H, BYUN K, KIM K, SHIN K, SHIN K W, KIM K B, BYUN K E, SHIN H J, HYUN L, LEE C S

Electronic device with less contact resistance, comprise metal layer provided on partial region of substrate, two-dimensional material layer formed on metal or noble metal layer of low work function, and upper surface of substrate, and insertion layer formed between metal layer and material layer.

YOO M, SHIN H, SEOL M, KWON J, SHIN H J, YOO M S

Interconnect structure for electronic device, has conductive line arranged in trench, where first cap layer is formed on upper surface of conductive line, and comprises graphene-metal composite that comprises graphene.

SHIN H, BYUN K, NAM S, SHIN K, SHIN K W, NAM S G, BYUN K E, SHIN H J

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Method for manufacturing semiconductor device, involves forming mold structure on substrate, where mold structure includes sacrificial films and interlayer insulating films alternately stacked along direction perpendicular to upper surface.

KIM J H, KIMSUNGGIL, SHIN H J, YANG S Y, CHOI H

Interconnect structure used in electronic device, comprises conductive wiring having certain pattern, dielectric layer on side surfaces of conductive wiring, capping layer on conductive wiring and graphene layer on dielectric layer.

SHIN H, BYUN K, SHIN J, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J

Eco-friendly fireproof coating composition useful for battery module of object i.e., battery case comprises silicon dioxide, refractory materials comprising titanium dioxide, silicon carbide, and/or boron nitride.

SHIN H J, MUN J, LEE Y, YEO H J

Battery module of electric vehicle for fire protection comprises pad mounted between battery packs inside battery module case, and pad is fireproof means for preventing fire.

SHIN H J, MUN J, LEE Y, YEO H J

Interconnect structure used in electronic device, comprises dielectric layer, conductive interconnect on dielectric layer and graphene cap layer on conductive interconnect, where graphene cap layer contains graphene quantum dots.

SHIN H, BYUN K, KIM S, SEOL M, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J